半导体装备 Semiconductor

VERIC A6151A

SiC高温退火炉

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VERIC A6151A SiC高温退火炉
VERIC A6151A SiC High-Temp Anneal Furnace
VERIC A6151A SiC高温退火炉具有无金属、长寿命的加热系统及特殊设计的高可靠工艺腔室,具备在氩气、氮气和氢气等气体氛围下的高温退火工艺,温度可达2000℃。主要应用SiC高温离子注入后的高温激活退火,刻蚀后的沟槽平滑等,还可用于GaN晶圆中的掺杂活化及AlN晶体高温退火工艺。
设备特点
  • 温度可达2000℃,升温速度快
  • 激活率高,表面粗糙度小
  • 水冷加热,环境温升小
  • 石墨电阻加热,工艺腔室洁净
  • 自动装片Cassette to Cassette
  • 安全设计,符合CE,SEMI S6标准
产品应用
  • 晶圆尺寸
    4/6英寸兼容
  • 适用材料
    碳化硅、氮化铝
  • 适用工艺
    注入后激活、Ar退火、Ar/H₂退火、沟槽平滑
  • 适用领域
    化合物半导体,衬底材料,科研
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